就如電源是PC的心臟一樣,主板和顯卡上的供電模塊也是它們各自的心臟,搭載在身上的各種芯片能否正常工作,就看它們的供電電路是否足夠強悍了。因此在我們的顯卡和主板評測中,它們的供電模塊會是一個很重要的評分項目。那么主板和顯卡上的供電模塊由什么元件組成,又是如何工作的呢?今天我們就來扒一扒那些關(guān)于板卡供電模塊的二三事。
典型的4相供電電路
顯卡與主板的供電模塊的主要作用是調(diào)壓、穩(wěn)壓以及濾波,以此讓CPU或者GPU獲得穩(wěn)定、純凈且電壓合適的電流。從它們所用到的技術(shù)和原理來說,顯卡和主板的供電電路其實并沒有本質(zhì)上的區(qū)別,僅僅是供電電壓和電流有所不同,因此我們這次就不分開講解了。
主板/顯卡上的供電模塊有哪些?
目前主板和顯卡上使用的供電模塊主要有三種,一種是為三端穩(wěn)壓供電,這種供電模塊組成簡單,僅需要一個集成穩(wěn)壓器即可,但是它提供的電流很小,不適合用在大負(fù)載設(shè)備上,主要是對DAC電路或者I/O接口進行供電。
三端穩(wěn)壓供電芯片7805,組成簡單但輸出電流較低
第二種則是場效應(yīng)管線性穩(wěn)壓,這種供電模塊主要由信號驅(qū)動芯片以及MosFET組成,有著反應(yīng)速度快、輸出紋波小、工作噪聲低的優(yōu)點。但是場效應(yīng)管線性穩(wěn)壓的轉(zhuǎn)換效率較低而且發(fā)熱量大,不利于產(chǎn)品功耗和溫度控制,因此其多數(shù)用在更早年之前的顯存或者內(nèi)存的供電電路上,而且僅限于入門級產(chǎn)品,中高端產(chǎn)品往往會使用更好的供電組成,也就是第三種供電模塊——開關(guān)電源。
現(xiàn)在主板和顯卡上給CPU和GPU供電的都是開關(guān)電源供電電路
開關(guān)電源是控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間和比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種供電模塊,主要由電容、電感線圈、MosFET場效應(yīng)管以及PWM脈沖寬度調(diào)制IC組成,發(fā)熱量相比線性穩(wěn)壓更低,轉(zhuǎn)換效率更高,而且穩(wěn)壓范圍大、穩(wěn)壓效果好,因此它成為了目前CPU與GPU的主要供電來源。
由于前兩種供電模式都在存在著明顯的不足,因此它們在顯卡和主板產(chǎn)品上的地位并不高,多數(shù)是作為輔助型供電或者為低功耗芯片供電而存在,這次就不再詳細敘述,我們把重點放在第三種供電模塊也就是開關(guān)電源供電上。
開關(guān)電源供電模塊由哪些元件組成?
主板和顯卡的開關(guān)電源供電模塊主要供CPU和GPU使用,通常是由電容、電感線圈、MosFET場效應(yīng)管以及PWM脈沖寬度調(diào)制芯片四類元件組成。
電容與電感線圈
電容與電感線圈在開關(guān)電源供電電路中一般是搭配使用,其中電容的作用是穩(wěn)定供電電壓,濾除電流中的雜波,而電感線圈則是通過儲能和釋能來起到穩(wěn)定電流的作用。
供電電路中的電容與電感
電容是最常用的也是最基本的電子元器,其在CPU和GPU的供電電路主要是用于;隔直通交”和濾波。由于電容一般是并聯(lián)在供電電路中,因此電流中的交流成分會被電容導(dǎo)入地線中,而直流成分則繼續(xù)進入負(fù)載中。同時由于電容可以通過充放電維持電路電壓不變,因此其不僅可以濾除電流中的高頻雜波,同時也減少電路的電壓波動。
而電感線圈的作用則是維持電路中的電流穩(wěn)定性,當(dāng)通過電感線圈的電流增大時,電感線圈產(chǎn)生的自感電動勢與電流方向相反,阻止電流的增加,同時將一部分電能轉(zhuǎn)化成磁場能存儲于電感之中;當(dāng)通過電感線圈的電流減小時,自感電動勢與電流方向相同,阻止電流的減小,同時釋放出存儲的能量,以補償電流的減小。
由于在開關(guān)電源供電電路中,電感與電容需要在短時間內(nèi)進行上萬次的充放電,因此它們的品質(zhì)將直接影響開關(guān)電源供電電路的性能表現(xiàn)。目前CPU和GPU的供電電路中多使用固態(tài)電容以及封閉式電感,前者具備低阻抗、耐高紋波、溫度適應(yīng)性好等優(yōu)點,后者則有體積小、儲能高、電阻低的特性,比較適合用于低電壓高電流的CPU和GPU供電電路中。
在高端產(chǎn)品上使用的聚合物電容
值得一提的是,在部分高端產(chǎn)品的供電輸出端我們還可以看到聚合物電容,如鋁聚合物電容以及著名的;小黃豆”鉭電容。由于這種聚合物電容擁有極強的高頻響應(yīng)能力,因此在每秒充放電上萬次的開關(guān)電源供電電路中,它們常常被用于輸出端的濾波電路中,可以大大提升電流的純凈度。
MosFET
MosFET在供電電路中的作用是電流開關(guān),它可以在電路中實現(xiàn)單向?qū)?,通過在控制極也就是柵極加上合適的電壓,就可以讓MosFET實現(xiàn)飽和導(dǎo)通,而MosFET的調(diào)壓功能則是可以通過PWM芯片控制通斷比實現(xiàn)。
很常見的;一上二下”型MosFET布置
MosFET有四項重要參數(shù),分別是最大電流(能承受的最大電流)、最大電壓(能承受的最大電壓)、導(dǎo)通電阻(導(dǎo)通電阻越低電源轉(zhuǎn)換效率越高)以及承受溫度(所能承受的溫度上限),原則上來說最大電流越大、最大電壓越高、導(dǎo)通電阻越低、承受溫度越高的MosFET品質(zhì)越好。當(dāng)然了完美的產(chǎn)品并不存在,不同MosFET會有不同優(yōu)勢,選擇什么樣的MosFET是需要從實際情況出發(fā)考慮的。
在開關(guān)電源供電電路中,MosFET是分為上橋和下橋兩組,運作時分別導(dǎo)通。而有注意MosFET布置的玩家可能會發(fā)現(xiàn),多數(shù)開關(guān)電源供電電路中的上橋MosFET往往在規(guī)模上不如下橋MosFET,實際上這個與上下橋MosFET所需要承擔(dān)的電流不同有關(guān)。上橋MosFET承擔(dān)是的外部輸入電流,一般來說是12V電壓,因此在同樣功率的前提下,上橋MosFET導(dǎo)通的時間更短,承擔(dān)的電流更低,所需要的規(guī)模自然可以低一些;而下橋MosFET承擔(dān)的是CPU或GPU的工作電壓,一般來說僅在1V左右,因此在相同功率的環(huán)境下,其承擔(dān)的電流是上橋MosFET的10倍,導(dǎo)通的時間更長,所需要的規(guī)模自然更高了。
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