在“英特爾加速創(chuàng)新：工藝和封裝” 去年 7 月的在線會議上，英特爾展示了一系列底層技術創(chuàng)新，以推動英特爾在 2025 年及以后的新產(chǎn)品開發(fā)。除了宣布十多年來首個全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個全新背面供電網(wǎng)絡 PowerVia，英特爾還強調(diào)了快速采用下一代極紫外光刻 (EUV) 技術、高數(shù)值孔徑 (High -NA) EUV，并將部署業(yè)界第一臺 High-NA EUV 光刻機。

英特爾最新的工藝路線圖看起來非常激進，計劃在四年內(nèi)推進五個工藝節(jié)點。盡管自 Pat Gelsinger 重返英特爾擔任 CEO 以來，第 12 代處理器的性能有所提升，但由于過去幾年表現(xiàn)不佳，許多人對這一工藝路線圖持保留態(tài)度。半導體咨詢公司 IC Knowledge 總裁 Scotten Jones 最近寫道SemiWiki 的一篇文章，講述了他從懷疑到對英特爾計劃充滿信心的歷程。

Scotten Jones 分析了英特爾、臺積電、三星未來幾年可能的半導體技術研發(fā)，他認為隨著極紫外(EUV)光刻設備使用量的增加和兩個突破的推出，英特爾將有巨大的突破。英特爾 20A 工藝節(jié)點上的 RibbonFET 和 PowerVia 技術。預計2024年末(原定2025年初)Intel將推出搭載改進型RibbonFET的Intel 18A，屆時很有可能在2025年壓倒臺積電的N2工藝節(jié)點，并在每瓦性能上領先。